2.000₺ ve üzeri siparişlerinizde kargo ücretsizdir.
JAN2N3500U4 Görsel mevcut değil

Görsel mevcut değil

JAN2N3500U4

Üretici
Microchip
Kılıf / Paket
Açıklama
NPN TRANSISTOR

JAN2N3500U4 Hakkında

JAN2N3500U4, Microchip Technology tarafından üretilen NPN bipolar junction transistör (BJT) olup, surface mount 3-SMD No Lead paketinde sunulmaktadır. 300 mA maksimum collector akımı ve 150 V breakdown voltajına sahip bu bileşen, 40 minimum DC current gain (hFE) değeri ile orta güç uygulamalarda kullanılabilir. -65°C ile +200°C arasında çalışabilen ve maksimum 1 W güç tüketen JAN2N3500U4, endüstriyel kontrol devreleri, sinyal anahtarlaması, güç yönetimi uygulamaları ve genel amaçlı transistor işlevlerinde yaygın olarak tercih edilmektedir. Düşük ICBO (50 nA) ve 400 mV saturation voltajı ile kompakt ve güvenilir bir anahtarlama performansı sağlar.

Ürün Özellikleri

12 özellik
Current - Collector (Ic) (Max) 300 mA
Current - Collector Cutoff (Max) 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 40 @ 150mA, 10V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -65°C ~ 200°C (TJ)
Package / Case 3-SMD, No Lead
Part Status Active
Power - Max 1 W
Supplier Device Package U4
Transistor Type NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 400mV @ 15mA, 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 150 V