Görsel mevcut değil
JAN2N3419S
- Üretici
- Microchip
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANS NPN 80V 3A
JAN2N3419S Hakkında
JAN2N3419S, Microchip Technology tarafından üretilen NPN bipolar junction transistör (BJT) olup, TO-39 metal kaplı kasa ile sunulmaktadır. 80V maksimum Collector-Emitter gerilimi ve 3A maksimum collector akımı ile orta güç uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. Maksimum 1W güç tüketim kapasitesine sahip bu bileşen, -65°C ile +200°C arasında çalışabilmektedir. 20 minimum DC current gain (hFE) değeri ve 500mV maksimum doyum gerilimi ile güvenilir anahtarlama ve amplifikasyon işlevleri sağlar. Through-hole montaj tipi ile PCB'lere doğrudan monte edilebilir. Kontrol devreleri, amplifikatörler ve anahtarlama uygulamalarında tercih edilen bir komponenttir.
Ürün Özellikleri
12 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
3 A
Current - Collector Cutoff (Max)
5µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
20 @ 1A, 2V
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-65°C ~ 200°C (TJ)
Package / Case
TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Part Status
Active
Power - Max
1 W
Supplier Device Package
TO-39 (TO-205AD)
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
500mV @ 200mA, 2A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
80 V