Görsel mevcut değil
JAN2N3250AUB/TR
- Üretici
- Microchip
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANSISTOR SMALL-SIGNAL BJT
JAN2N3250AUB/TR Hakkında
JAN2N3250AUB/TR, Microchip Technology tarafından üretilen small-signal PNP bipolar junction transistor (BJT) komponentdir. Surface mount 4-SMD No Lead paket tipi ile sağlanan bu transistör, en yüksek 20mA kolektör akımı ve 60V kolektör-emitter açılma gerilimi ile çalışır. DC akım kazancı (hFE) 10mA, 1V koşullarında minimum 50 değerinde ölçülür. 360mW maksimum güç disipasyonu kapasitesine sahip olan komponent, -65°C ile +200°C arasında geniş bir sıcaklık aralığında çalışabilir. Vce doyum gerilimi 5mA taban akımında ve 50mA kolektör akımında maksimum 500mV dir. Sinyal işleme devreleri, anahtarlama uygulamaları ve düşük güç amplifikatör tasarımlarında kullanılır.
Ürün Özellikleri
12 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
20 nA
Current - Collector Cutoff (Max)
20nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
50 @ 10mA, 1V
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-65°C ~ 200°C (TJ)
Package / Case
4-SMD, No Lead
Part Status
Active
Power - Max
360 mW
Supplier Device Package
UB
Transistor Type
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
500mV @ 5mA, 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
60 V