Görsel mevcut değil
JAN2N3250AUB
- Üretici
- Microchip
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- NPN TRANSISTOR
JAN2N3250AUB Hakkında
JAN2N3250AUB, Microchip Technology tarafından üretilen PNP tipi bipolar junction transistör (BJT) olup, Surface Mount 4-SMD No Lead (UB) pakette sunulmaktadır. Maksimum 60V Vce(BR)O breakdown voltajı ve 360mW güç dissipasyonu kapasitesi ile orta güç uygulamaları için tasarlanmıştır. -65°C ile +200°C arasında geniş çalışma sıcaklık aralığında kullanılabilen bu transistör, minimum 50 hFE DC akım kazancı sağlar. Maksimum 20nA collector cutoff akımı ve 500mV saturation voltajı (Vce) özellikleri ile düşük sızıntı ve iyi switching performansı sunmaktadır. Anahtarlama, amplifikasyon ve dar sinyal uygulamalarında, özellikle de yüksek frekanslı darbe devreleri ve akım kaynağı uygulamalarında kullanılır.
Ürün Özellikleri
12 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
20 nA
Current - Collector Cutoff (Max)
20nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
50 @ 10mA, 1V
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-65°C ~ 200°C (TJ)
Package / Case
4-SMD, No Lead
Part Status
Active
Power - Max
360 mW
Supplier Device Package
UB
Transistor Type
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
500mV @ 5mA, 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
60 V