Görsel mevcut değil
JAN2N2907AUB
- Üretici
- Microchip
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANS PNP BJT 60V 0.6A
JAN2N2907AUB Hakkında
JAN2N2907AUB, Microchip Technology tarafından üretilen PNP tip bipolar junction transistördür (BJT). 60V maksimum Vce breakdown voltajı ve 600mA maksimum collector akımı ile orta güç uygulamalarında kullanılan genel amaçlı bir transistördür. 500mW güç dağıtımı kapasitesi ve 100 minimum DC current gain (hFE) değeri ile çeşitli switching ve amplifikasyon devrelerinde yer alır. Surface mount pakette sunulan bu bileşen, -65°C ile 200°C arasında çalışma sıcaklığında stabil performans gösterir. Gürültü filtreleme, ses amplifikasyonu, kontrol devreleri ve logic gate uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir.
Ürün Özellikleri
10 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
600 mA
Current - Collector Cutoff (Max)
50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
100 @ 150mA, 10V
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-65°C ~ 200°C (TJ)
Part Status
Active
Power - Max
500 mW
Transistor Type
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
1.6V @ 50mA, 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
60 V