Görsel mevcut değil
JAN2N2906AUB/TR
- Üretici
- Microchip
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANSISTOR SMALL-SIGNAL BJT
JAN2N2906AUB/TR Hakkında
JAN2N2906AUB/TR, Microchip Technology tarafından üretilen küçük sinyal PNP bipolar junction transistördür (BJT). Surface mount 4-SMD, No Lead paketinde sunulan bu bileşen, 600mA maksimum collector akımı ve 60V collector-emitter breakdown voltajı ile çalışabilir. DC current gain değeri 150mA ve 10V koşullarında minimum 40'tır. 500mW maksimum güç dağıtma kapasitesi ve geniş çalışma sıcaklığı aralığı (-65°C ~ 200°C) sayesinde endüstriyel uygulamalarda kullanılmaya uygundur. Sinyal amplifikasyonu, anahtarlama ve güç kontrolü devrelerinde yaygın olarak tercih edilen bir transistördür.
Ürün Özellikleri
12 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
600 mA
Current - Collector Cutoff (Max)
50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
40 @ 150mA, 10V
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-65°C ~ 200°C (TJ)
Package / Case
4-SMD, No Lead
Part Status
Active
Power - Max
500 mW
Supplier Device Package
UB
Transistor Type
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
1.6V @ 50mA, 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
60 V