Görsel mevcut değil
JAN2N2605UB/TR
- Üretici
- Microchip
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANSISTOR SMALL-SIGNAL BJT
JAN2N2605UB/TR Hakkında
JAN2N2605UB/TR, Microchip Technology tarafından üretilen PNP tip küçük sinyal bipolar junction transistörlüdür. Surface mount 4-SMD paketinde sunulan bu bileşen, Collector-Emitter gerilimi maksimum 60V ve maksimum güç dağılımı 400mW ile karakterize edilir. Minimum DC akım kazancı (hFE) 500µA akım ve 5V gerilimde 150'dir. Doyum gerilimi maksimum 300mV (500µA taban akımında, 10mA collector akımında) olup, yüksek elektron boşluğu mobilite özellikleri vardır. Geniş işletim sıcaklık aralığı -65°C ile +200°C arasında çalışabilir. Düşük collector kesme akımı (10nA) sayesinde statik güç tüketimi minimize edilir. Analog sinyal amplifikasyonu, anahtarlama uygulamaları ve ses frekansı devrelerinde yaygın olarak kullanılır.
Ürün Özellikleri
12 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
10 nA
Current - Collector Cutoff (Max)
10nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
150 @ 500µA, 5V
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-65°C ~ 200°C (TJ)
Package / Case
4-SMD, No Lead
Part Status
Active
Power - Max
400 mW
Supplier Device Package
UB
Transistor Type
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
300mV @ 500µA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
60 V