Görsel mevcut değil
JAN2N2604UB
- Üretici
- Microchip
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- NPN TRANSISTOR
JAN2N2604UB Hakkında
JAN2N2604UB, Microchip Technology tarafından üretilen bir PNP bipolar junction transistor (BJT) olup, yüksek güvenilirlik gereken uygulamalar için tasarlanmıştır. 60V Vce(br)dss darbeye dayanıklılığı ve 400mW maksimum güç tüketimi ile çeşitli analog ve dijital devre uygulamalarında kullanılır. DC current gain (hFE) değeri 500µA ve 5V'te minimum 60 olup, düşük frekanslı amplifikatör, anahtar ve darbe devre uygulamalarında yer alabilir. -65°C ile 200°C arasındaki geniş çalışma sıcaklığı aralığı, otomotiv ve endüstriyel elektronik uygulamaları için uygundur. Surface mount 4-SMD No Lead paketinde sunulur.
Ürün Özellikleri
12 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
10 nA
Current - Collector Cutoff (Max)
10nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
60 @ 500µA, 5V
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-65°C ~ 200°C (TJ)
Package / Case
4-SMD, No Lead
Part Status
Active
Power - Max
400 mW
Supplier Device Package
UB
Transistor Type
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
300mV @ 500µA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
60 V