Görsel mevcut değil
JAN2N2222AL
JAN2N2222AL Hakkında
JAN2N2222AL, Microchip Technology tarafından üretilen NPN bipolar junction transistör (BJT) olup genel amaçlı anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. 50V collector-emitter voltajı ve 800mA maksimum collector akımı ile orta güç düzeyindeki elektronik devrelerde tercih edilir. TO-18 metal can paketinde sunulan bu transistör, 500mW maksimum güç yayım kapasitesi ile düşük-orta seviye güç uygulamalarına uygundur. -65°C ile 200°C arasındaki geniş çalışma sıcaklığı aralığı, endüstriyel ve askeri uygulamalarda kullanım için uygun hale getirir. Ses amplifikatörleri, kontrol devreleri ve logic arayüz uygulamalarında yaygın olarak kullanılmaktadır.
Ürün Özellikleri
12 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
800 mA
Current - Collector Cutoff (Max)
50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
100 @ 150mA, 10V
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-65°C ~ 200°C (TJ)
Package / Case
TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Part Status
Active
Power - Max
500 mW
Supplier Device Package
TO-18 (TO-206AA)
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
1V @ 50mA, 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
50 V
