Görsel mevcut değil
JAN2N2219A
- Üretici
- Microchip
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANS NPN 50V 0.8A
JAN2N2219A Hakkında
JAN2N2219A, Microchip Technology tarafından üretilen NPN tipi bipolar junction transistör (BJT) olarak tasarlanmıştır. 50V collector-emitter breakdown voltajı ve 800mA maksimum collector akımı ile orta güç uygulamalarında kullanılmaya uygundur. TO-39 metal kutu paketinde sunulan bu transistör, -55°C ile 200°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sağlar. 1V saturation voltajı ve minimum 100 DC current gain ile anahtarlama ve amplifikasyon devrelerinde yer alır. 800mW maksimum güç dağılımı kapasitesi ile ses amplifikatörleri, kontrol devreleri ve genel sinyal işleme uygulamalarında tercih edilir. Through-hole montaj türü ile geleneksel PCB tasarımlarına entegre edilir.
Ürün Özellikleri
12 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
800 mA
Current - Collector Cutoff (Max)
10nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
100 @ 150mA, 10V
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 200°C (TJ)
Package / Case
TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Part Status
Active
Power - Max
800 mW
Supplier Device Package
TO-39
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
1V @ 50mA, 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
50 V