Görsel mevcut değil
JAN2N1893
- Üretici
- Microchip
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANS NPN 80V 0.5A TO-5
JAN2N1893 Hakkında
JAN2N1893, Microchip Technology tarafından üretilen NPN bipolar junction transistör (BJT) olup, TO-205AA metal kaplı TO-5 paketinde sunulmaktadır. 80V maksimum collector-emitter diyot kırılma gerilimi ve 500mA maksimum collector akımı ile orta güç uygulamalarında kullanılmaya uygundur. 800mW maksimum güç dağılımı kapasitesi ile RF amplifikatörleri, anahtarlama devreleri ve audio uygulamalarında tercih edilir. -65°C ile +200°C geniş çalışma sıcaklık aralığı sayesinde endüstriyel ve askeri uygulamalarda güvenilir performans sağlar. 150mA collector akımında minimum 40 DC current gain (hFE) değerine sahiptir.
Ürün Özellikleri
12 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
500 mA
Current - Collector Cutoff (Max)
10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
40 @ 150mA, 10V
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-65°C ~ 200°C (TJ)
Package / Case
TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
Part Status
Active
Power - Max
800 mW
Supplier Device Package
TO-5
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
5V @ 15mA, 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
80 V