2.000₺ ve üzeri siparişlerinizde kargo ücretsizdir.
JAN2N1890S Görsel mevcut değil

Görsel mevcut değil

JAN2N1890S

Üretici
Microchip
Kılıf / Paket
Açıklama
NPN LOW POWER SILICON TRANSISTOR

JAN2N1890S Hakkında

JAN2N1890S, Microchip Technology tarafından üretilen NPN tipi düşük güç silikon bipolar transistördür. TO-39 metal kutu paketinde sunulan bu transistör, maksimum 500mA kollektör akımı, 80V geriye doğru kırılma gerilimi ve 800mW güç tüketimi ile çalışabilir. 100'den büyük DC akım kazancı, 10nA'e kadar düşük kapalı durum sızıntı akımı ve -65°C ile 200°C arasında geniş çalışma sıcaklık aralığı sunmaktadır. Düşük sinyal amplifikasyon, anahtarlama uygulamaları ve kontrol devreleri için yaygın olarak kullanılmaktadır. JAN versiyonu, askeri ve endüstriyel uygulamalarda yüksek güvenilirlik gereksinimlerini karşılamak üzere seçilmiş ve sınıflandırılmış komponenttir.

Ürün Özellikleri

12 özellik
Current - Collector (Ic) (Max) 500 mA
Current - Collector Cutoff (Max) 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 150mA, 10V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -65°C ~ 200°C (TJ)
Package / Case TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Part Status Active
Power - Max 800 mW
Supplier Device Package TO-39 (TO-205AD)
Transistor Type NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 5V @ 15mA, 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 80 V