Görsel mevcut değil
JAN2N1711S
- Üretici
- Microchip
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- NPN LOW POWER SILICON TRANSISTOR
JAN2N1711S Hakkında
JAN2N1711S, Microchip Technology tarafından üretilen düşük güç NPN silikon transistördür. TO-39 metal can pakajda sunulan bu bileşen, 500mA maksimum kollektör akımı ve 800mW maksimum güç dağıtımı kapasitesiyle çalışır. 30V kollektör-emitter bozulma gerilimi ve 100 minimum DC akım kazancı (hFE) ile genel amaçlı anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. -65°C ile +200°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında stabil performans gösterir. Vce doyum gerilimi 1.5V ve çok düşük ICBO kaçak akımı (10nA) özellikleriyle endüstriyel ve askeri uygulamalar için JAN sınıflandırması almıştır. Through-hole montaj tipi ile eski ve yeni tasarımlarda yer bulur.
Ürün Özellikleri
12 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
500 mA
Current - Collector Cutoff (Max)
10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
100 @ 150mA, 10V
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-65°C ~ 200°C (TJ)
Package / Case
TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Part Status
Active
Power - Max
800 mW
Supplier Device Package
TO-39 (TO-205AD)
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
1.5V @ 15mA, 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
30 V