Görsel mevcut değil
JAN2N1613L
- Üretici
- Microchip
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- NPN SILICON POWER TRANSISTOR
JAN2N1613L Hakkında
JAN2N1613L, Microchip Technology tarafından üretilen NPN tipi silikon güç transistörüdür. Maksimum 500mA collector akımı ve 800mW güç dağıtımına sahip bu bileşen, 30V collector-emitter breakdown voltajıyla çalışır. TO-205AA (TO-5) metal kaplı kasa içinde gelmekte olup, through-hole montajı desteklemektedir. -65°C ile 200°C arasında geniş sıcaklık aralığında çalışabilir. 1.5V saturation voltajı ve minimum 40 hFE DC current gain karakteristiği ile genel amaçlı anahtarlama uygulamaları, darbe devreler ve orta güç amplifikasyon devrelerinde kullanılmaya elverişlidir. JAN serisi standartları gereği üretilen bileşen, askeri ve endüstriyel uygulamalarda da tercih edilir.
Ürün Özellikleri
12 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
500 mA
Current - Collector Cutoff (Max)
10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
40 @ 150mA, 10V
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-65°C ~ 200°C (TJ)
Package / Case
TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
Part Status
Active
Power - Max
800 mW
Supplier Device Package
TO-5
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
1.5V @ 15mA, 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
30 V