2.000₺ ve üzeri siparişlerinizde kargo ücretsizdir.
JAN2N1613 Görsel mevcut değil

Görsel mevcut değil

JAN2N1613

Üretici
Microchip
Kılıf / Paket
Açıklama
TRANS NPN 30V 0.5A

JAN2N1613 Hakkında

JAN2N1613, Microchip Technology tarafından üretilen NPN tipi bipolar junction transistördür. 30V maksimum kolektor-emitter gerilimi ve 500mA maksimum kollektör akımı ile düşük seviye sinyal amplifikasyonu ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 800mW güç dağıtabilme kapasitesi, 40 minimum DC akım kazancı ve geniş -65°C ile +200°C çalışma sıcaklık aralığı ile endüstriyel ve askeri uygulamalara uygunluk sağlar. TO-39 metal kutu paketinde üretilen bu transistör, analog devrelerde pre-amplifier, ses amplifikasyonu, düşük akımlı anahtarlama ve ayrık lojik uygulamalarında yaygın olarak kullanılmaktadır. JAN sertifikasyonu, bileşenin askeri ve uzay uygulamalarında kullanıma uygun olduğunu gösterir.

Ürün Özellikleri

12 özellik
Current - Collector (Ic) (Max) 500 mA
Current - Collector Cutoff (Max) 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 40 @ 150mA, 10V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -65°C ~ 200°C (TJ)
Package / Case TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Part Status Active
Power - Max 800 mW
Supplier Device Package TO-39 (TO-205AD)
Transistor Type NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 1.5V @ 15mA, 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 30 V