Görsel mevcut değil
IXYQ40N65B3D1
- Üretici
- Littelfuse
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- DISC IGBT XPT-GENX3 TO-3P (3)
IXYQ40N65B3D1 Hakkında
IXYQ40N65B3D1, Littelfuse tarafından üretilen PT tipi IGBT transistördür. 650V collector-emitter diyot gerilimi ve 86A maksimum collector akımı ile tasarlanmıştır. XPT-GENX3 teknolojisi ile üretilen bu komponent, yüksek hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 68nC gate charge ve 20ns on, 140ns off geçiş zamanları ile hızlı anahtarlama performansı sunar. Maximum 300W güç dissipasyonu kapasitesine sahiptir. -55°C ile 175°C arasında güvenilir çalışma sağlar. TO-3P paketinde sunulan bu IGBT, endüstriyel sürücü sistemleri, güç kaynakları, motor kontrol devrelerinde ve enerji dönüştürme uygulamalarında yaygın olarak kullanılmaktadır.
Ürün Özellikleri
17 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
86 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
195 A
Gate Charge
68 nC
IGBT Type
PT
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-3P-3, SC-65-3
Part Status
Active
Power - Max
300 W
Reverse Recovery Time (trr)
37 ns
Supplier Device Package
TO-3P
Switching Energy
800µJ (on), 700µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
20ns/140ns
Test Condition
400V, 30A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2V @ 15V, 40A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
650 V