Görsel mevcut değil
IXYQ30N65B3D1
- Üretici
- Littelfuse
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- DISC IGBT XPT-GENX3 TO-3P (3)
IXYQ30N65B3D1 Hakkında
IXYQ30N65B3D1, Littelfuse tarafından üretilen Punch Through (PT) tipi tek IGBT transistördür. TO-3P-3 (SC-65-3) montaj paketi ile sağlanan bu bileşen, maksimum 650V Vce(br) ve 70A sürekli kolektor akımı kapasitesine sahiptir. 160A darbe akımı ile güç elektronik uygulamalarında yüksek akım anahtarlaması gerektiren devrelerde kullanılır. 45nC kapı yükü ve 17ns/87ns açılış/kapanış gecikmesi ile hızlı anahtarlama özelliği gösterir. -55°C ile +175°C arasındaki geniş çalışma sıcaklık aralığı, enerji dönüştürme, motor kontrol ve konvertör uygulamalarında kullanıma uygundur. 270W maksimum güç dağılımı kapasitesi ile endüstriyel ve ticari ölçekli sistemlerde tercih edilir.
Ürün Özellikleri
17 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
70 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
160 A
Gate Charge
45 nC
IGBT Type
PT
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-3P-3, SC-65-3
Part Status
Active
Power - Max
270 W
Reverse Recovery Time (trr)
38 ns
Supplier Device Package
TO-3P
Switching Energy
830µJ (on), 640µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
17ns/87ns
Test Condition
400V, 30A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.1V @ 15V, 30A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
650 V