Görsel mevcut değil
IXYP30N120A4
- Üretici
- Littelfuse
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- IGBT DISCRETE TO-220
IXYP30N120A4 Hakkında
IXYP30N120A4, Littelfuse tarafından üretilen 1200V IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistördür. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, yüksek voltaj ve yüksek akım uygulamalarında anahtarlama elemanı olarak kullanılır. Maksimum kollektör akımı 106A, pulse akımı 184A ve maksimum güç kapasitesi 500W'tır. Vce(on) değeri 15V gate voltajında 25A akımda 1.9V'tur. -55°C ile +175°C arasında çalışabilir. 42ns reverse recovery time ve 4mJ on/3.4mJ off switching energy'si ile hızlı anahtarlamaya uygun tasarlanmıştır. Güç kaynakları, motor kontrol, enerji dönüştürme ve endüstriyel uygulamalarda yaygın olarak tercih edilir.
Ürün Özellikleri
16 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
106 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
184 A
Gate Charge
57 nC
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-220-3
Part Status
Active
Power - Max
500 W
Reverse Recovery Time (trr)
42 ns
Supplier Device Package
TO-220 (IXYP)
Switching Energy
4mJ (on), 3.4mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
15ns/235ns
Test Condition
960V, 25A, 5Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
1.9V @ 15V, 25A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1200 V