Görsel mevcut değil
IXYP24N100A4
- Üretici
- Littelfuse
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- IGBT DISCRETE TO-220
IXYP24N100A4 Hakkında
IXYP24N100A4, Littelfuse tarafından üretilen PT tipi IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) diskret transistördür. TO-220-3 paketinde sunulan bu komponent, 1000V collector-emitter breakdown voltajı ve 85A maksimum collector akımı ile güç elektronikleri uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 375W maksimum güç derecelendirilmesine sahip olan cihaz, -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığına dayanabilir. 44nC gate charge ve 47ns reverse recovery time ile hızlı anahtarlama karakteristiği sunar. Endüstriyel sürücü devreleri, motor kontrol, güç kaynakları ve konverter uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. Through-hole montaj tipi ile PCB entegrasyonu kolaydır.
Ürün Özellikleri
17 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
85 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
145 A
Gate Charge
44 nC
IGBT Type
PT
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-220-3
Part Status
Active
Power - Max
375 W
Reverse Recovery Time (trr)
47 ns
Supplier Device Package
TO-220 (IXYP)
Switching Energy
3.5mJ (on), 2.3mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
13ns/216ns
Test Condition
800V, 24A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
1.9V @ 15V, 24A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1000 V