Görsel mevcut değil
IXYK200N65B3
- Üretici
- Littelfuse
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- IGBT
IXYK200N65B3 Hakkında
IXYK200N65B3, Littelfuse tarafından üretilen 650V Collector-Emitter Breakdown voltajına sahip bir IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistörüdür. 410A maksimum collector akımı ve 1100A pulse collector akımı ile yüksek akım uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. TO-264-3 paketinde sunulan bu bileşen, 60ns on-delay ve 370ns off-delay sürelerine sahip hızlı anahtarlama özelliği gösterir. 1560W maksimum güç yönetimi ve -55°C ile 175°C arasında çalışabilmesi, endüstriyel güç elektronikleri, motor kontrol devreleri, inverter uygulamaları ve kaynak cihazları gibi alanlarda kullanılmaya elverişli kılmaktadır. 340nC gate charge değeri ve düşük switching energy konsumpsiyonu, verimli ve kontrollü anahtarlama işlemini sağlar.
Ürün Özellikleri
16 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
410 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
1100 A
Gate Charge
340 nC
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-264-3, TO-264AA
Part Status
Active
Power - Max
1560 W
Reverse Recovery Time (trr)
108 ns
Supplier Device Package
TO-264
Switching Energy
5mJ (on), 4mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
60ns/370ns
Test Condition
400V, 100A, 0Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
1.7V @ 15V, 100A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
650 V