Görsel mevcut değil
IXYJ20N120C3D1
- Üretici
- Littelfuse
- Kategori
- Kılıf / Paket
- TO-247-3
- Açıklama
- IGBT 1200V 21A 105W TO247
IXYJ20N120C3D1 Hakkında
IXYJ20N120C3D1, Littelfuse tarafından üretilen 1200V Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) olup, yüksek voltaj güç uygulamalarında kullanılan yarı iletken bileşendir. 21A sürekli collector akımı ve 84A pulslu akım kapasitesine sahip olan bu transistör, 105W maksimum güç dağıtabilir. TO-247-3 paketlemesinde sunulan komponent, endüstriyel uygulamalar, güç kaynakları, inverterler, motor kontrolörleri ve fotovoltaik sistemler gibi alanlarda yer alır. 600V test koşullarında 3.4V Vce(on) değeri ile verimli işletme sağlayan IGBT, -55°C ile 150°C arasında çalışabilmektedir. Düşük gate charge değeri (53nC) hızlı switching performansı ve 20ns açılış, 90ns kapanış süresi ile enerji verimliliği destekler.
Ürün Özellikleri
16 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
21 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
84 A
Gate Charge
53 nC
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-247-3
Part Status
Active
Power - Max
105 W
Reverse Recovery Time (trr)
195 ns
Supplier Device Package
ISO247
Switching Energy
1.3mJ (on), 500µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
20ns/90ns
Test Condition
600V, 20A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
3.4V @ 15V, 20A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1200 V