Görsel mevcut değil
IXYA8N90C3D1
- Üretici
- Littelfuse
- Kategori
- Kılıf / Paket
- TO-263-3
- Açıklama
- IGBT 900V 20A 125W C3 TO-263AA
IXYA8N90C3D1 Hakkında
IXYA8N90C3D1, Littelfuse tarafından üretilen 900V/20A kapasiteli bir IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistörüdür. TO-263-3 (D²Pak) paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama uygulamalarında yüksek gerilim anahtarlaması gerektiren devrelerde kullanılır. Maksimum 125W güç dağıtabilme yeteneğine sahip olan transistör, -55°C ile 175°C arasında çalışabilir. 900V kırılma gerilimi, 13.3nC kapı yükü ve 114ns ters kurtarma süresi ile güç elektronikleri, endüstriyel konvertör, motor kontrol ve çeşitli anahtarlama devreleri için uygun bir seçenektir.
Ürün Özellikleri
16 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
20 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
48 A
Gate Charge
13.3 nC
Input Type
Standard
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status
Active
Power - Max
125 W
Reverse Recovery Time (trr)
114 ns
Supplier Device Package
TO-263AA
Switching Energy
460µJ (on), 180µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
16ns/40ns
Test Condition
450V, 8A, 30Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.5V @ 15V, 8A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
900 V