2.000₺ ve üzeri siparişlerinizde kargo ücretsizdir.
IXYA20N65C3 Görsel mevcut değil

Görsel mevcut değil

IXYA20N65C3

Üretici
Littelfuse
Kılıf / Paket
TO-263-3
Açıklama
IGBT

IXYA20N65C3 Hakkında

IXYA20N65C3, Littelfuse tarafından üretilen 650V IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistördür. 20A DC collector akımı ve 105A pulsed akım kapasitesiyle tasarlanmıştır. TO-263-3 paketinde sunulan bu bileşen, yüksek voltajlı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 230W maksimum güç yeteneğine sahiptir. Operating temperature aralığı -55°C ile 175°C arasında değişebilmektedir. 2.5V Vce(on) değeri ile düşük açılış kaybı sağlar. Güç kaynakları, motor kontrol devreleri, endüstriyel uygulamalar ve enerji dönüştürme sistemlerinde yaygın olarak tercih edilir. 30nC gate charge ve 34ns reverse recovery time ile hızlı anahtarlama performansı sunmaktadır.

Ürün Özellikleri

16 özellik
Current - Collector (Ic) (Max) 20 A
Current - Collector Pulsed (Icm) 105 A
Gate Charge 30 nC
Input Type Standard
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status Active
Power - Max 230 W
Reverse Recovery Time (trr) 34 ns
Supplier Device Package TO-263AA
Switching Energy 430µJ (on), 650µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C 19ns/80ns
Test Condition 400V, 20A, 20Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.5V @ 15V, 20A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 650 V