Görsel mevcut değil
IXYA12N250CHV
- Üretici
- Littelfuse
- Kategori
- Kılıf / Paket
- TO-263-3
- Açıklama
- DISC IGBT XPT-HI VOLTAGE TO-263D
IXYA12N250CHV Hakkında
IXYA12N250CHV, Littelfuse tarafından üretilen yüksek voltaj IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistörüdür. TO-263-3 (D²Pak) paketinde sunulan bu komponent, maksimum 2500V collector-emitter breakdown voltajı ve 28A sürekli collector akımı özellikleriyle tasarlanmıştır. 310W maksimum güç kapasitesi ile endüstriyel güç elektronik uygulamalarında, inverter devreleri, motor kontrol sistemleri ve güç dönüştürücülerde kullanılmaktadır. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sunar. 56nC gate charge ve 3.56mJ on switching energy ile verimli komütasyon sağlar.
Ürün Özellikleri
16 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
28 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
80 A
Gate Charge
56 nC
Input Type
Standard
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status
Active
Power - Max
310 W
Reverse Recovery Time (trr)
16 ns
Supplier Device Package
TO-263HV
Switching Energy
3.56mJ (on), 1.7mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
12ns/167ns
Test Condition
1250V, 12A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
4.5V @ 15V, 12A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
2500 V