Görsel mevcut değil
IXXQ30N60B3M
- Üretici
- Littelfuse
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- IGBT
IXXQ30N60B3M Hakkında
IXXQ30N60B3M, Littelfuse tarafından üretilen 600V Collector-Emitter Breakdown voltajına sahip bir IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistördür. 33A maksimum collector akımı ve 140A pulsed collector akımı ile tasarlanmıştır. TO-3P-3 (SC-65-3) paketinde sunulan bu bileşen, yüksek hızlı switching uygulamalarında kullanılır. 39nC gate charge ve 23ns/150ns açılma/kapanma gecikme süreleri ile hızlı komütasyon özelliğine sahiptir. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığında stabil performans gösterir. Güç elektronikleri, motor sürücüleri, inverter devreleri ve endüstriyel kontrol uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. 90W maksimum güç dağıtım kapasitesi ile orta güç uygulamalarında etkindir.
Ürün Özellikleri
16 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
33 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
140 A
Gate Charge
39 nC
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-3P-3, SC-65-3
Part Status
Active
Power - Max
90 W
Reverse Recovery Time (trr)
36 ns
Supplier Device Package
TO-3P
Switching Energy
550µJ (on), 800µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
23ns/150ns
Test Condition
400V, 24A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
1.85V @ 15V, 24A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V