Görsel mevcut değil
IXXH80N65B4H1
- Üretici
- Littelfuse
- Kategori
- Kılıf / Paket
- TO-247-3
- Açıklama
- IGBT 650V 160A 625W TO247AD
IXXH80N65B4H1 Hakkında
IXXH80N65B4H1, Littelfuse tarafından üretilen 650V kolektör-emitter breakdown voltajına sahip bir IGBT transistörüdür. TO-247-3 paketinde sağlanan bu bileşen, 160A maksimum DC kolektör akımı ve 625W maksimum güç yönetimine uygundur. PT tipi IGBT olarak tasarlanan cihaz, endüstriyel anahtarlama uygulamalarında, güç dönüştürücülerinde, motor sürücülerinde ve solar inverterlerde kullanılır. 120nC gate charge, 38ns açılış ve 120ns kapanış gecikmesi ile hızlı anahtarlama performansı sunar. -55°C ile 175°C arasında çalışan bu transistör, yüksek güç yoğunluklu uygulamalar için uygundur.
Ürün Özellikleri
17 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
160 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
430 A
Gate Charge
120 nC
IGBT Type
PT
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-247-3
Part Status
Active
Power - Max
625 W
Reverse Recovery Time (trr)
150 ns
Supplier Device Package
TO-247 (IXXH)
Switching Energy
3.77mJ (on), 1.2mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
38ns/120ns
Test Condition
400V, 80A, 3Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2V @ 15V, 80A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
650 V