Görsel mevcut değil
IXXH110N65B4
- Üretici
- Littelfuse
- Kategori
- Kılıf / Paket
- TO-247-3
- Açıklama
- DISC IGBT XPT-GENX4 TO-247AD
IXXH110N65B4 Hakkında
IXXH110N65B4, Littelfuse tarafından üretilen yüksek voltajlı IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistörüdür. XPT-GENX4 teknolojisinde tasarlanan bu bileşen, 650V kolektör-emiter breakdown voltajı ve 250A maksimum kolektör akımı ile güç dönüştürme uygulamalarında kullanılır. TO-247-3 paketinde sunulan komponent, anahtarlama güç kaynaklarında (SMPS), motor kontrol devrelerinde, UPS sistemlerinde ve endüstriyel inverterlerde yaygın olarak uygulanmaktadır. 880W maksimum güç kapasitesi, 183nC gate charge değeri ve düşük anahtarlama enerjisi (2.2mJ açılış, 1.05mJ kapanış) ile verimli çalışma sağlar. -55°C ile 175°C arasında güvenli işletim sıcaklık aralığına sahiptir.
Ürün Özellikleri
17 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
250 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
570 A
Gate Charge
183 nC
IGBT Type
PT
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-247-3
Part Status
Active
Power - Max
880 W
Reverse Recovery Time (trr)
40 ns
Supplier Device Package
TO-247 (IXTH)
Switching Energy
2.2mJ (on), 1.05mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
26ns/146ns
Test Condition
400V, 55A, 2Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.1V @ 15V, 110A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
650 V