2.000₺ ve üzeri siparişlerinizde kargo ücretsizdir.
IXXA50N60B3 Görsel mevcut değil

Görsel mevcut değil

IXXA50N60B3

Üretici
Littelfuse
Kılıf / Paket
TO-263-3
Açıklama
IGBT

IXXA50N60B3 Hakkında

IXXA50N60B3, Littelfuse tarafından üretilen 600V/120A kapasiteli bir IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistörüdür. TO-263-3 D²Pak paketinde sunulan bu bileşen, maksimum 600W güç yönetimi, 70nC gate charge ve 40ns reverse recovery time özellikleriyle yüksek hızlı anahtarlama uygulamaları için tasarlanmıştır. Vce(on) değeri 1.8V @ 15V, 36A'dir. -55°C ile 175°C arasında çalışabilen bu IGBT, endüstriyel motor sürücüleri, güç kaynakları, UPS sistemleri ve enerji dönüştürücü uygulamalarında yaygın olarak kullanılmaktadır. Surface mount teknolojisi ile yüksek yoğunluklu PCB tasarımlarına entegre edilebilir.

Ürün Özellikleri

16 özellik
Current - Collector (Ic) (Max) 120 A
Current - Collector Pulsed (Icm) 200 A
Gate Charge 70 nC
Input Type Standard
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status Active
Power - Max 600 W
Reverse Recovery Time (trr) 40 ns
Supplier Device Package TO-263AA
Switching Energy 670µJ (on), 1.2mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C 27ns/150ns
Test Condition 360V, 36A, 5Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 1.8V @ 15V, 36A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600 V