Görsel mevcut değil
IXST15N120B
- Üretici
- Littelfuse
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- IGBT 1200V 30A 150W TO268
IXST15N120B Hakkında
IXST15N120B, Littelfuse tarafından üretilen 1200V 30A rated IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistördür. PT tipi IGBT olarak tasarlanmış bu komponent, yüksek voltaj uygulamalarında anahtar görevi yapar. Maximum 150W güç dağıtabilir ve pulsed akımda 60A'ye kadar dayanabilir. TO-268-3 (D³Pak) paketinde sunulan komponent, güç elektronikleri, inverter devreleri, motor kontrol uygulamaları ve endüstriyel anahtarlama sistemlerinde kullanılır. 30ns açılış ve 148ns kapanış süresi ile hızlı anahtarlama özelliğine sahiptir. -55°C ile +150°C arasında çalışabilir ve 1.5mJ kapalı anahtarlama enerjisine sahiptir.
Ürün Özellikleri
16 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
30 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
60 A
Gate Charge
57 nC
IGBT Type
PT
Input Type
Standard
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Part Status
Obsolete
Power - Max
150 W
Supplier Device Package
TO-268AA
Switching Energy
1.5mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
30ns/148ns
Test Condition
960V, 15A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
3.4V @ 15V, 15A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1200 V