Görsel mevcut değil
IXSH10N60B2D1
- Üretici
- Littelfuse
- Kategori
- Kılıf / Paket
- TO-247-3
- Açıklama
- IGBT 600V 20A 100W TO247
IXSH10N60B2D1 Hakkında
IXSH10N60B2D1, Littelfuse tarafından üretilen 600V 20A kapasiteli bir IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistörüdür. PT (Punch Through) teknolojisi kullanılarak tasarlanmış bu bileşen, yüksek gerilim uygulamalarında anahtarlama işlevlerini gerçekleştirmek için kullanılır. TO-247-3 paketinde sunulan transistör, 100W güç tüketim kapasitesine ve 25ns reverse recovery time değerine sahiptir. Gate charge 17nC ile düşük enerji tüketiminde çalışır. Güç kaynakları, motor sürücüleri, UPS sistemleri ve endüstriyel anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklık aralığında güvenilir performans sunar. Not: Bu ürün üretim dışı (Obsolete) statüsündedir.
Ürün Özellikleri
17 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
20 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
30 A
Gate Charge
17 nC
IGBT Type
PT
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-247-3
Part Status
Obsolete
Power - Max
100 W
Reverse Recovery Time (trr)
25 ns
Supplier Device Package
TO-247AD
Switching Energy
430µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
30ns/180ns
Test Condition
480V, 10A, 30Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.5V @ 15V, 10A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V