Görsel mevcut değil
IXGT6N170AHV-TRL
- Üretici
- Littelfuse
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- IXGT6N170AHV TRL
IXGT6N170AHV-TRL Hakkında
IXGT6N170AHV-TRL, Littelfuse tarafından üretilen yüksek voltaj IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistörüdür. 1700V kollektör-emitter kırılma voltajı ile güç elektoniği uygulamalarında kullanılmaktadır. 6A nominal kolektör akımı ve 14A pulse akımı kapasitesi ile orta güç seviyesi anahtarlama devrelerinde yer alır. TO-268-3 (D³Pak) paketinde sunulan bu transistör, endüstriyel konvertörler, kaynak makineleri, enerji dönüştürücüler ve elektrik motor kontrolü gibi uygulamalarda tercih edilir. 46ns açılış ve 220ns kapanış gecikme süreleri hızlı anahtarlama gerektiren devrelere uygundur.
Ürün Özellikleri
16 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
6 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
14 A
Gate Charge
18.5 nC
Input Type
Standard
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Part Status
Active
Power - Max
75 W
Reverse Recovery Time (trr)
40 ns
Supplier Device Package
TO-268HV
Switching Energy
590µJ (on), 180µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
46ns/220ns
Test Condition
850V, 6A, 33Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
7V @ 15V, 3A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1700 V