Görsel mevcut değil
IXGT6N170A
- Üretici
- Littelfuse
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- IGBT 1700V 6A 75W TO268
IXGT6N170A Hakkında
IXGT6N170A, Littelfuse tarafından üretilen yüksek voltaj IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistörüdür. NPT (Non-Punch Through) teknolojisi ile tasarlanan bu bileşen, 1700V collector-emitter breakdown voltajı ve 6A maksimum collector akımı ile çalışır. 75W güç kapasitesi ile uygulamalarda kullanılan bu transistör, TO-268-3 (D³Pak) yüzey montaj paketinde sunulmaktadır. 18.5nC gate charge ve 46ns/220ns (açılış/kapanış) gecikmesi ile hızlı anahtarlama karakteristiğine sahiptir. İnverterler, motor sürücüleri, elektrik dönüştürücüleri ve endüstriyel kontrol sistemleri gibi yüksek voltaj uygulamalarında tercih edilir. -55°C ile 150°C arasında güvenilir çalışma sağlar.
Ürün Özellikleri
16 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
6 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
14 A
Gate Charge
18.5 nC
IGBT Type
NPT
Input Type
Standard
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Part Status
Active
Power - Max
75 W
Supplier Device Package
TO-268AA
Switching Energy
590µJ (on), 180µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
46ns/220ns
Test Condition
850V, 6A, 33Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
7V @ 15V, 3A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1700 V