Görsel mevcut değil
IXGT39N60BD1
- Üretici
- Littelfuse
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- IGBT 600V 76A 200W TO268
IXGT39N60BD1 Hakkında
IXGT39N60BD1, Littelfuse tarafından üretilen 600V/76A kapasiteli IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistördür. TO-268-3 (D³Pak) Surface Mount paketinde sunulan bu bileşen, 200W maksimum güç dağılımı ile endüstriyel uygulamalarda kullanılır. 1.7V düşük Vce(on) değeri ile verimli performans sağlar. 110nC gate charge ve 25ns/250ns hızlı anahtarlama zamanları ile motor kontrolü, inverter devreleri, güç kaynakları ve UPS sistemlerinde yer alır. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına sahiptir. NOT: Bu ürün üretimi sonlandırılmış (Obsolete) durumdadır.
Ürün Özellikleri
16 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
76 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
152 A
Gate Charge
110 nC
Input Type
Standard
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Part Status
Obsolete
Power - Max
200 W
Reverse Recovery Time (trr)
25 ns
Supplier Device Package
TO-268AA
Switching Energy
4mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
25ns/250ns
Test Condition
480V, 39A, 4.7Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
1.7V @ 15V, 39A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V