Görsel mevcut değil
IXGT32N90B2D1
- Üretici
- Littelfuse
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- IGBT 900V 64A 300W TO268
IXGT32N90B2D1 Hakkında
IXGT32N90B2D1, Littelfuse tarafından üretilen 900V Isolated Gate Bipolar Transistor (IGBT) komponentidir. Maksimum 64A sürekli kolektör akımı ve 200A darbe akımı kapasitesi ile tasarlanmıştır. TO-268-3 (D³Pak) paketinde sunulan bu transistör, endüstriyel sürücü uygulamaları, güç dönüştürücüler, inverterler ve yüksek voltaj anahtarlama devreleri için kullanılır. 2.7V Vce(on) değeri ile düşük güç kaybı sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sunar. 89nC gate charge ve 20ns/260ns açılı/kapanış gecikme süreleri hızlı anahtarlamaya olanak tanır.
Ürün Özellikleri
16 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
64 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
200 A
Gate Charge
89 nC
Input Type
Standard
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Part Status
Active
Power - Max
300 W
Reverse Recovery Time (trr)
190 ns
Supplier Device Package
TO-268AA
Switching Energy
2.2mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
20ns/260ns
Test Condition
720V, 32A, 5Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.7V @ 15V, 32A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
900 V