Görsel mevcut değil
IXGT32N90B2D1
- Üretici
- Littelfuse
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- IGBT 900V 64A 300W TO268
- Aile / Seri
- IXGT32N90B2D1
IXGT32N90B2D1 Hakkında
IXGT32N90B2D1, Littelfuse tarafından üretilen 900V Isolated Gate Bipolar Transistor (IGBT) komponentidir. Maksimum 64A sürekli kolektör akımı ve 200A darbe akımı kapasitesi ile tasarlanmıştır. TO-268-3 (D³Pak) paketinde sunulan bu transistör, endüstriyel sürücü uygulamaları, güç dönüştürücüler, inverterler ve yüksek voltaj anahtarlama devreleri için kullanılır. 2.7V Vce(on) değeri ile düşük güç kaybı sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sunar. 89nC gate charge ve 20ns/260ns açılı/kapanış gecikme süreleri hızlı anahtarlamaya olanak tanır.
Ürün Özellikleri
16 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
64 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
200 A
Gate Charge
89 nC
Input Type
Standard
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Part Status
Active
Power - Max
300 W
Reverse Recovery Time (trr)
190 ns
Supplier Device Package
TO-268AA
Switching Energy
2.2mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
20ns/260ns
Test Condition
720V, 32A, 5Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.7V @ 15V, 32A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
900 V
İlgili Ürünler
