Görsel mevcut değil
IXGT10N170
- Üretici
- Littelfuse
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- IGBT 1700V 20A 110W TO268
IXGT10N170 Hakkında
IXGT10N170, Littelfuse tarafından üretilen 1700V/20A yüksek voltaj IGBT transistörüdür. NPT (Non Punch Through) teknolojisi ile tasarlanan bu bileşen, maksimum 110W güç tüketimi ve 70A darbe akımı kapasitesine sahiptir. TO-268-3 (D³Pak) paketinde sunulan komponent, endüstriyel güç dönüştürücüleri, servo sürücüleri, UPS sistemleri ve kaynak makinaları gibi yüksek voltaj uygulamalarında kullanılmaktadır. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında, güvenilir ve sabit performans sunar. 32nC gate charge ve 4V Vce(on) değerleri ile verimli anahtarlama özelliği sağlar.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
20 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
70 A
Gate Charge
32 nC
IGBT Type
NPT
Input Type
Standard
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Part Status
Active
Power - Max
110 W
Supplier Device Package
TO-268AA
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
4V @ 15V, 10A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1700 V