Görsel mevcut değil
IXGQ85N33PCD1
- Üretici
- Littelfuse
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- IGBT 330V 85A 150W TO3P
IXGQ85N33PCD1 Hakkında
IXGQ85N33PCD1, Littelfuse tarafından üretilen 330V Collector-Emitter voltajına sahip bir IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistörüdür. 85A maksimum collector akımı ve 150W maksimum güç tüketim kapasitesi ile tasarlanmış olup, TO-3P paket tipinde sunulmaktadır. 80 nC gate charge değeri ile hızlı anahtarlama özelliğine sahiptir. 250 ns reverse recovery time ile düşük kayıplar sağlar. -55°C ile 150°C arasındaki çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sunar. Endüstriyel uygulamalarda, motor kontrol devreleri, invertörler, DC-DC dönüştürücüler ve güç elektronik sistemlerinde yaygın olarak kullanılır.
Ürün Özellikleri
12 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
85 A
Gate Charge
80 nC
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-3P-3, SC-65-3
Part Status
Active
Power - Max
150 W
Reverse Recovery Time (trr)
250 ns
Supplier Device Package
TO-3P
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
3V @ 15V, 100A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
330 V