Görsel mevcut değil
IXGQ20N120BD1
- Üretici
- Littelfuse
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- IGBT 1200V 40A 190W TO3P
IXGQ20N120BD1 Hakkında
IXGQ20N120BD1, Littelfuse tarafından üretilen 1200V IGBT transistörüdür. TO-3P paketinde sunulan bu bileşen, maksimum 40A collector akımı ve 190W güç yönetim kapasitesi ile tasarlanmıştır. Gate charge değeri 62 nC, Vce(on) voltajı 15V gate voltajında 20A akımda 3.4V'tur. Reverse recovery time 40 ns olan bu transistör, yüksek voltajlı anahtarlama uygulamalarında, güç elektronikleri devrelerinde, invertörler, chopper devreleri ve motor sürücülerinde kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışan bu IGBT, kritik voltaj sınırlandırma ve hızlı anahtarlama özellikleriyle endüstriyel anahtarlama uygulamalarına uygundur.
Ürün Özellikleri
16 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
40 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
100 A
Gate Charge
62 nC
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-3P-3, SC-65-3
Part Status
Active
Power - Max
190 W
Reverse Recovery Time (trr)
40 ns
Supplier Device Package
TO-3P
Switching Energy
2.1mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
20ns/270ns
Test Condition
960V, 20A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
3.4V @ 15V, 20A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1200 V