Görsel mevcut değil
IXGP20N120BD1
- Üretici
- Littelfuse
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- IGBT 1200V 40A 190W TO220
IXGP20N120BD1 Hakkında
IXGP20N120BD1, Littelfuse tarafından üretilen 1200V/40A kapasiteli IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistörüdür. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, maksimum 190W güç yönetim kapasitesine sahiptir. Vce(on) değeri 3.4V (15V gate voltajında, 20A collector akımında) olan bu transistör, hızlı anahtarlama uygulamaları için tasarlanmıştır. 72nC gate charge ve 25ns/150ns açılma/kapanma süresi ile yüksek frekans uygulamalarında kullanılabilir. 40ns reverse recovery time ile optimize edilmiştir. -55°C ile +150°C arasında stabil çalışır. Endüstriyel güç dönüştürücüleri, motor kontrolü, kaynak makineleri ve UPS sistemleri gibi uygulamalarda kullanılır.
Ürün Özellikleri
16 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
40 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
100 A
Gate Charge
72 nC
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-220-3
Part Status
Active
Power - Max
190 W
Reverse Recovery Time (trr)
40 ns
Supplier Device Package
TO-220-3
Switching Energy
2.1mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
25ns/150ns
Test Condition
960V, 20A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
3.4V @ 15V, 20A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1200 V