Görsel mevcut değil
IXGN200N170
- Üretici
- Littelfuse
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- IGBT
IXGN200N170 Hakkında
IXGN200N170, Littelfuse tarafından üretilen bir Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) türü tekil transistördür. 1700V maksimum Collector-Emitter gerilim (Vce) ve 280A sürekli collector akımı (Ic) kapasitesine sahiptir. SOT-227-4 (miniBLOC) paketinde sunulan bu bileşen, yüksek gerilim ve akım uygulamalarında anahtarlama elemanı olarak kullanılır. 1050A pulslu akım kapasitesi ile güç elektroniği devrelerinde tercih edilir. -55°C ile 150°C arasında çalışabilmesi, endüstriyel ve otomotiv uygulamalarında güvenilir çalışma sağlar. Düşük switching energy değerleri (on: 28mJ, off: 30mJ) ve 133ns reverse recovery time ile enerji verimliliği öne çıkar. Inverter, konvertör ve motor kontrol devrelerinde yaygın olarak uygulanır.
Ürün Özellikleri
16 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
280 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
1050 A
Gate Charge
540 nC
Input Type
Standard
Mounting Type
Chassis Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
SOT-227-4, miniBLOC
Part Status
Active
Power - Max
1250 W
Reverse Recovery Time (trr)
133 ns
Supplier Device Package
SOT-227B
Switching Energy
28mJ (on), 30mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
37ns/320ns
Test Condition
850V, 100A, 1Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.6V @ 15V, 100A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1700 V