Görsel mevcut değil
IXGM25N100A
- Üretici
- Littelfuse
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- POWER MOSFET TO-3
IXGM25N100A Hakkında
IXGM25N100A, Littelfuse tarafından üretilen 1000V IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistörüdür. TO-204AE (TO-3) paketinde sunulan bu komponent, 50A sürekli kollektor akımı ve 100A pulsed akımı destekler. 200W maksimum güç dissipasyonu kapasitesi ile elektrik şebekeleri, endüstriyel motor kontrol sistemleri, güç dönüştürücüleri ve inverterlerde kullanılır. 1000V collector-emitter arasında yüksek voltaj dayanıklılığı ile orta-yüksek güç uygulamalarında tercih edilir. 180nC gate charge değeri hızlı anahtarlama performansı sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklık aralığında güvenilir işletim gösterir. Not: Bu ürün obsolete (üretimi sonlandırılmış) statüsündedir.
Ürün Özellikleri
16 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
50 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
100 A
Gate Charge
180 nC
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-204AE
Part Status
Obsolete
Power - Max
200 W
Reverse Recovery Time (trr)
200 ns
Supplier Device Package
TO-204AE
Switching Energy
5mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
100ns/500ns
Test Condition
800V, 25A, 33Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
4V @ 15V, 25A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1000 V