Görsel mevcut değil
IXGM17N100A
- Üretici
- Littelfuse
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- POWER MOSFET TO-3
IXGM17N100A Hakkında
IXGM17N100A, Littelfuse tarafından üretilen 1000V IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistördür. TO-204AE (TO-3) paketinde sunulan bu komponent, maksimum 34A collector akımı ve 68A pulse akımı kapasitesine sahiptir. 150W güç seviyesinde çalışabilen transistör, -55°C ile +150°C sıcaklık aralığında stabil performans sunar. Vce(on) değeri 15V gate voltajında ve 17A akımda 4V'tur. 200ns reverse recovery time ve 100ns/500ns turn-on/turn-off gecikme süreleri ile yüksek hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılabilir. Güç kaynakları, motor sürücüleri, invertörler ve UPS sistemlerinde yaygın olarak uygulanır. Ürün şu anda üretilmemekte olup, yalnızca stok malzeme olarak temin edilebilmektedir.
Ürün Özellikleri
16 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
34 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
68 A
Gate Charge
120 nC
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-204AE
Part Status
Obsolete
Power - Max
150 W
Reverse Recovery Time (trr)
200 ns
Supplier Device Package
TO-204AE
Switching Energy
3mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
100ns/500ns
Test Condition
800V, 17A, 82Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
4V @ 15V, 17A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1000 V