Görsel mevcut değil
IXGA8N100
- Üretici
- Littelfuse
- Kategori
- Kılıf / Paket
- TO-263-3
- Açıklama
- IGBT 1000V 16A 54W TO263
IXGA8N100 Hakkında
IXGA8N100, Littelfuse tarafından üretilen 1000V/16A IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistörüdür. PT tipi (punch-through) IGBT teknolojisi kullanan bu komponent, TO-263-3 yüzey montaj paketi ile sunulmaktadır. Maksimum 54W güç tüketimi ve 32A pulse akımı ile tasarlanmıştır. 26.5nC gate charge ve 2.3mJ kapanış switching enerjisi ile kontrolü kolaydır. -55°C ile +150°C arasında güvenli çalışır. Endüstriyel güç elektroniği, motor sürücüleri, güç kaynakları ve inverter uygulamalarında kullanılır. 15ns açılış ve 600ns kapanış zamanı sayesinde yüksek frekanslı anahtarlama gerçekleştirir. Vce(on) değeri 2.7V @ 15V gate voltajında 8A kollektör akımında ölçülmüştür.
Ürün Özellikleri
16 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
16 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
32 A
Gate Charge
26.5 nC
IGBT Type
PT
Input Type
Standard
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status
Active
Power - Max
54 W
Supplier Device Package
TO-263AA
Switching Energy
2.3mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
15ns/600ns
Test Condition
800V, 8A, 120Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.7V @ 15V, 8A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1000 V