Görsel mevcut değil
IXBT6N170
- Üretici
- Littelfuse
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- IGBT 1700V 12A 75W TO268
IXBT6N170 Hakkında
IXBT6N170, Littelfuse tarafından üretilen 1700V yüksek voltaj IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistörüdür. 12A nominal kollektör akımı ve 36A pulslu akımı ile tasarlanmış olan bu komponent, 75W güç yönetimi kapasitesine sahiptir. TO-268-3 (D³Pak) paketinde sunulan IXBT6N170, endüstriyel güç dönüştürücüler, inverter devreleri, motor sürücüler ve yüksek voltaj anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak kullanılmaktadır. 3.4V Vce(on) değeri ile düşük kondüksyon kaybı sağlayan transistör, -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklık aralığına ve 1.08µs ters kurtarma zamanına sahiptir. 17nC gate charge değeri hızlı anahtarlamayı mümkün kılmaktadır.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
12 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
36 A
Gate Charge
17 nC
Input Type
Standard
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Part Status
Active
Power - Max
75 W
Reverse Recovery Time (trr)
1.08 µs
Supplier Device Package
TO-268AA
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
3.4V @ 15V, 6A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1700 V