Görsel mevcut değil
IXBT42N170-TRL
- Üretici
- Littelfuse
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- IXBT42N170 TRL
IXBT42N170-TRL Hakkında
IXBT42N170-TRL, Littelfuse tarafından üretilen yüksek voltaj IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistörüdür. 1700V collector-emitter breakdown voltajı ve 80A maksimum collector akımı özellikleri ile güç dönüştürme uygulamalarında kullanılır. 188nC gate charge ve 37ns açılış, 340ns kapanış sürelerine sahip olup, hızlı anahtarlama gerektiren devrelerde tercih edilir. 360W maksimum güç kapasitesi ile inverterler, servo sürücüler, endüstriyel güç kaynakları ve motor kontrol sistemlerinde uygulanır. TO-268 D³Pak yüzey montajlı kasa tipi ile kompakt tasarımlar mümkündür.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
80 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
300 A
Gate Charge
188 nC
Input Type
Standard
Mounting Type
Surface Mount
Package / Case
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Part Status
Active
Power - Max
360 W
Supplier Device Package
TO-268
Td (on/off) @ 25°C
37ns/340ns
Test Condition
850V, 42A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.8V @ 15V, 42A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1700 V