Görsel mevcut değil
IXBT2N250
- Üretici
- Littelfuse
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- IGBT 2500V 5A 32W TO268
IXBT2N250 Hakkında
IXBT2N250, Littelfuse tarafından üretilen yüksek voltaj IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistörüdür. 2500V kolektör-emitör kırılma voltajı ve maksimum 5A sürekli kolektör akımı ile tasarlanmıştır. 32W maksimum güç kaybı ile TO-268-3 (D³Pak) paketinde sunulmaktadır. Esas uygulamaları arasında anahtarlama güç kaynakları, inverter devreler, motor kontrol sistemleri ve yüksek voltaj anahtarlama uygulamaları yer almaktadır. 10.6nC gate charge ve 920ns reverse recovery time özellikleri hızlı anahtarlama davranışı sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında kullanılabilir.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
5 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
13 A
Gate Charge
10.6 nC
Input Type
Standard
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Part Status
Active
Power - Max
32 W
Reverse Recovery Time (trr)
920 ns
Supplier Device Package
TO-268AA
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
3.5V @ 15V, 2A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
2500 V