Görsel mevcut değil
IXBT16N170AHV
- Üretici
- Littelfuse
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- IGBT
IXBT16N170AHV Hakkında
IXBT16N170AHV, Littelfuse tarafından üretilen yüksek voltaj IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistörüdür. 1700V collector-emitter breakdown voltajı ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 16A maksimum collector akımı ve 40A pulslu akım kapasitesi ile güç dönüştürücü devreleri, inverter uygulamaları, anahtarlama güç kaynakları ve motor kontrol sistemlerinde çalıştırılır. TO-268-3 yüzey montaj paketinde sunulan bileşen, -55°C ile +150°C arasında çalışabilir. 150W maksimum güç dissipasyonu ve düşük switching energy karakteristiği ile verimli devrelerin tasarlanmasını sağlar. 65nC gate charge ve 15ns/250ns açılma/kapanma süresi hızlı anahtarlama uygulamalarına uygundur.
Ürün Özellikleri
16 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
16 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
40 A
Gate Charge
65 nC
Input Type
Standard
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Part Status
Active
Power - Max
150 W
Reverse Recovery Time (trr)
25 ns
Supplier Device Package
TO-268HV
Switching Energy
2.5mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
15ns/250ns
Test Condition
1360V, 10A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
6V @ 15V, 10A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1700 V