Görsel mevcut değil
IXBH28N170A
- Üretici
- Littelfuse
- Kategori
- Kılıf / Paket
- TO-247-3
- Açıklama
- IGBT 1700V 30A 300W TO247AD
IXBH28N170A Hakkında
IXBH28N170A, Littelfuse tarafından üretilen yüksek voltaj IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistördür. 1700V collector-emitter breakdown voltajı ve 30A maksimum collector akımı ile tasarlanmıştır. 300W maksimum güç harcama kapasitesine sahiptir. TO-247-3 paketinde sunulan bu transistör, endüstriyel uygulamalar, güç kaynakları, motor kontrol devreleri ve DC-DC konvertörlerde yaygın olarak kullanılmaktadır. 360ns reverse recovery time, 105nC gate charge ve düşük on/off gecikmesi (35ns/265ns) ile hızlı anahtarlama performansı sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir işlem gerçekleştirir.
Ürün Özellikleri
16 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
30 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
60 A
Gate Charge
105 nC
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-247-3
Part Status
Active
Power - Max
300 W
Reverse Recovery Time (trr)
360 ns
Supplier Device Package
TO-247AD
Switching Energy
1.2mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
35ns/265ns
Test Condition
850V, 14A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
6V @ 15V, 14A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1700 V