Görsel mevcut değil
IXBA16N170AHV-TRL
- Üretici
- Littelfuse
- Kategori
- Kılıf / Paket
- TO-263-3
- Açıklama
- DISC IGBT BIMOSFET-HIGH VOLT TO-
IXBA16N170AHV-TRL Hakkında
IXBA16N170AHV-TRL, Littelfuse tarafından üretilen yüksek voltajlı IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) bileşenidir. 1700V kolektör-emitter gerilimi ve 16A maksimum kolektör akımı ile yüksek güç uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. TO-263-3 (D²Pak) yüzey montaj paketi ile kompakt tasarımlar için uygundur. 150W maksimum güç dağıtımı kapasitesi ve 65nC gate charge değeri ile hızlı anahtarlama işlemleri gerçekleştir. Endüstriyel güç dönüştürücüler, motor kontrol devreleri, schweißgeräte (kaynak makineleri) ve UPS sistemleri gibi uygulamalarda tercih edilir. -55°C ile +150°C arasında çalışır ve 360ns reverse recovery time ile verimli komütasyon sağlar.
Ürün Özellikleri
16 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
16 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
40 A
Gate Charge
65 nC
Input Type
Standard
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status
Active
Power - Max
150 W
Reverse Recovery Time (trr)
360 ns
Supplier Device Package
TO-263HV
Switching Energy
1.2mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
15ns/160ns
Test Condition
1360V, 10A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
6V @ 15V, 10A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1700 V