Görsel mevcut değil
ISL9V5045S3S
ISL9V5045S3S Hakkında
ISL9V5045S3S, onsemi tarafından üretilen bir IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistörüdür. 480V breakdown voltajı ve maksimum 51A collector akımı ile tasarlanmıştır. D²PAK (TO-263) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, 300W maksimum güç kapasitesine sahiptir. 1.6V Vce(on) değeri ile verimli anahtarlama sağlar. -40°C ile 175°C arasında çalışan transistör, endüstriyel kontrol, motor sürücüsü ve güç dönüştürme uygulamalarında kullanılır. 32nC gate charge değeri hızlı anahtarlama performansı sunar.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
51 A
Gate Charge
32 nC
Input Type
Logic
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status
Obsolete
Power - Max
300 W
Supplier Device Package
D²PAK (TO-263)
Td (on/off) @ 25°C
-/10.8µs
Test Condition
300V, 1kOhm, 5V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
1.6V @ 4V, 10A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
480 V
İlgili Ürünler
