Görsel mevcut değil
ISL9V5036S3ST_SB82170
ISL9V5036S3ST_SB82170 Hakkında
ISL9V5036S3ST_SB82170, onsemi tarafından üretilen yüksek voltaj IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistörüdür. Surface mount D²PAK (TO-263) paketinde sunulan bu bileşen, 46A maksimum collector akımı ve 390V breakdown voltajı ile çalışabilir. 250W güç sınırlaması ile tasarlanmıştır. -40°C ile 175°C arasında çalışan bu entegre devre, 1.6V Vce(on) değeri ile verimli anahtarlama sağlar. 10.8µs turn-off süresi ve 32nC gate charge karakteristiği ile hızlı komutasyon yapar. Güç elektronikleri, motor kontrolü, DC-DC konvertörler ve inverter uygulamalarında kullanılan bu bileşen, logic seviyesi giriş uyumluluğuna sahiptir. Ürün obsolete durumundadır.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
46 A
Gate Charge
32 nC
Input Type
Logic
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status
Obsolete
Power - Max
250 W
Supplier Device Package
D²PAK (TO-263)
Td (on/off) @ 25°C
-/10.8µs
Test Condition
300V, 1kOhm, 5V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
1.6V @ 4V, 10A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
390 V